Luminescence properties of Er3+ - Doped SiOx films containing amorphous Si nanoparticles

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	Luminescence properties of Er3+ - Doped SiOx films containing amorphous Si nanoparticles
	Chen WD; Chen CY; Chen, WD, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Surface Phys, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
	2004
会议名称	1st IEEE International Conference on Group IV Photonics
会议录名称	2004 IST IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON GROUP IV PHOTONICS
页码	75-76
会议日期	SEP 29-OCT 01, 2004
会议地点	Hong Kong, PEOPLES R CHINA
出版地	345 E 47TH ST, NEW YORK, NY 10017 USA
出版者	IEEE
ISBN	0-7803-8474-1
部门归属	chinese acad sci, inst semicond, state key lab surface phys, beijing 100083, peoples r china
摘要	PL properties of Er3+ doped SiOx films containing Si nanoparticles have been studied. Er3+ emission intensity does not depend strongly upon crystallinity of Si clusters. The films can yield efficient Er3+ emission.
学科领域	光电子学
主办者	IEEE.
收录类别	其他
语种	英语
文献类型	会议论文
条目标识符	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/10056
专题	中国科学院半导体研究所（2009年前）
通讯作者	Chen, WD, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Surface Phys, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
推荐引用方式 GB/T 7714	Chen WD,Chen CY,Chen, WD, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Surface Phys, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.. Luminescence properties of Er3+ - Doped SiOx films containing amorphous Si nanoparticles[C]. 345 E 47TH ST, NEW YORK, NY 10017 USA:IEEE,2004:75-76.

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