| Influence of AlGaN Buffer Growth Temperature on GaN Epilayer based on Si(111) Substrate | |
| Wei M (Wei Meng); Wang XL (Wang Xiaoliang); Pan X (Pan Xu); Xiao HL (Xiao Hongling); Wang CM (Wang Cuimei); Zhang ML (Zhang Minglan); Wang ZG (Wang Zhanguo) | |
| 2011 | |
| 会议名称 | 3rd International Photonics and OptoElectronics Meetings |
| 会议录名称 | 3RD INTERNATIONAL PHOTONICS AND OPTOELECTRONICS MEETINGS (POEM 2010), 276: Art. No. 012094 2011 |
| 会议日期 | NOV 02-05, 2010 |
| 会议地点 | Wuhan, PEOPLES R CHINA |
| 学科领域 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CPCI（ISTP） |
| 语种 | 英语 |
| 文献类型 | 会议论文 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21433 |
| 专题 | 半导体材料科学中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Wei M ,Wang XL ,Pan X ,et al. Influence of AlGaN Buffer Growth Temperature on GaN Epilayer based on Si(111) Substrate[C],2011. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| Influence of AlGaN B（668KB） | 限制开放 | 使用许可 | 请求全文 | |||
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