| 在Si衬底上分子束外延生长GeSn合金的方法; 在Si衬底上分子束外延生长GeSn合金的方法 | |
| 苏少坚; 汪巍; 成步文; 王启明; 张广泽; 胡炜玄; 白安琪; 薛春来; 左玉华 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2011-08-30 ; 2011-08-30 ; 2011-08-30 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 摘要 | 本发明提供一种在Si衬底上分子束外延生长GeSn合金的方法，包括如下步骤：步骤1：在Si衬底上生长一层第一Ge材料层；步骤2：在第一Ge材料层上生长一层第二Ge材料层；步骤3：在第二Ge材料层上生长一层第一GeSn合金层；步骤4：在第一GeSn合金层上生长一层第二GeSn合金层，完成材料的生长。 |
| 部门归属 | 集成光电子学国家重点实验室 |
| 专利号 | CN201010231169.X |
| 语种 | 中文 |
| 专利状态 | 公开 |
| 申请号 | CN201010231169.X |
| 专利代理人 | 汤保平 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21909 |
| 专题 | 集成光电子学国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 苏少坚,汪巍,成步文,等. 在Si衬底上分子束外延生长GeSn合金的方法, 在Si衬底上分子束外延生长GeSn合金的方法. CN201010231169.X. |
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| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
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