| 一种高锗组分锗硅虚衬底的制备方法 | |
胡炜玄; 成步文; 薛春来 ; 张广泽; 王启明
| |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2011-08-30 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 摘要 | 本发明提供一种硅衬底上的高锗组分锗硅虚衬底的生长方法，包括以下步骤：步骤1：在一外延生长装置中置入硅衬底；步骤2：在硅衬底上生长锗缓冲层；步骤3：在锗缓冲层上生长锗硅虚衬底，锗的原子组分大于0.5且小于1。 |
| 部门归属 | 集成光电子学国家重点实验室 |
| 专利号 | CN201010183385.1 |
| 语种 | 中文 |
| 专利状态 | 公开 |
| 申请号 | CN201010183385.1 |
| 专利代理人 | 汤保平 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21931 |
| 专题 | 集成光电子学国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 胡炜玄,成步文,薛春来,等. 一种高锗组分锗硅虚衬底的制备方法. CN201010183385.1. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN201010183385.1.pdf（216KB） | 限制开放 | -- | 请求全文 | |||
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