SEMI OpenIR  > 集成光电子学国家重点实验室
一种CMOS图像传感器
陈弘达; 关宁; 张旭
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2011-08-30
授权国家中国
专利类型发明
摘要本发明公开了一种CMOS图像传感器,该CMOS图像传感器包括像素阵列、曝光控制电路、行列选通电路和信号输出电路,其中:像素阵列包含多个像素点,每个像素点由多个子像素组成,各像素点中相对位置相同的子像素的复位控制和信号保持控制线连接在一起,信号线按行列方式共享或独立拥有信号输出线;曝光控制电路用于控制各个子像素的曝光按照预设的时间差依次开始和结束;行列选通电路用于依次选通各个子像素,将信号输出到信号线上;信号输出电路用于缓冲或放大子像素的输出信号,驱动与该CMOS图像传感器的输出连接的模数转换器。本发明能够突破CMOS图像传感器的曝光时间存在物理下限,也可以解决过短的积分时间引起的信号质量下降问题。
部门归属集成光电子学国家重点实验室
专利号CN200910242353.1
语种中文
专利状态公开
申请号CN200910242353.1
专利代理人周国城
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21989
专题集成光电子学国家重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
陈弘达,关宁,张旭. 一种CMOS图像传感器. CN200910242353.1.
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