| SOI亚微米脊型光波导倒锥耦合器免刻蚀氧化制作方法 |
| 陈少武; 程勇鹏; 任光辉 ; 樊中朝
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2011-08-30
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 一种SOI亚微米脊型光波导倒锥耦合器免刻蚀氧化制作方法，包括：在SOI的顶层硅上氧化一层二氧化硅层；通过光刻工艺，在二氧化硅层上面形成掩膜图形，该掩膜图形的一端为矩形，另一端为锥形通过刻蚀工艺，将没有掩膜图形保护的二氧化硅层刻蚀，刻蚀后形成被掩膜图形保护的二氧化硅的矩形区域和锥形区域；去掉SOI的顶层硅上遗留下的掩膜图形，形成样品；对上述的样品进行氧化，将被刻蚀过的二氧化硅层下面的SOI的顶层硅，氧化到预定高度，从而形成脊型波导的平板区；被二氧化硅层的矩形区域保护的SOI的顶层硅，形成脊型波导的内脊区；而被二氧化硅层的锥形区域保护的SOI的顶层硅，形成和内脊区自然过渡连接的条形波导倒锥结构，完成脊型波导和倒锥耦合器的自然集成。 |
| 部门归属 | 集成光电子学国家重点实验室
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| 专利号 | CN200910242349.5
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN200910242349.5
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| 专利代理人 | 汤保平
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21993
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| 专题 | 集成光电子学国家重点实验室
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
陈少武,程勇鹏,任光辉,等. SOI亚微米脊型光波导倒锥耦合器免刻蚀氧化制作方法. CN200910242349.5.
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