SEMI OpenIR  > 集成光电子学国家重点实验室
半导体光电子器件的自适应耦合的结构
祝宁华; 王欣; 孙可; 谢亮
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2011-08-30
授权国家中国
专利类型发明
摘要本发明公开了一种半导体光电子器件的自适应耦合的结构,包括:一半导体光电子器件(a),固定于圆形底座上;一外套管(c),该外套管(c)的内径等于该圆形底座的外径,且该圆形底座焊接或紧密装配于该外套管(c)的一端;一内套管(d),从该外套管(c)焊接或紧密装配圆形底座的相对端嵌套焊接于外套管(c),且该内套管(d)的中轴线与所述外套管(c)的中轴线重合;一光接收装置(b),焊接于内套管(d)内部,该光接收装置(b)的中轴线与内套管(d)的中轴线重合。本发明实现了对由于温度变化引起的光电子器件本征光电特性变化进行自适应补偿,保证了在较宽温度范围内耦合封装的光电子器件性能稳定。
部门归属集成光电子学国家重点实验室
专利号CN200810240930.9
语种中文
专利状态公开
申请号CN200810240930.9
专利代理人周国城
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22077
专题集成光电子学国家重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
祝宁华,王欣,孙可,等. 半导体光电子器件的自适应耦合的结构. CN200810240930.9.
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