| 一种生长AlInN单晶外延膜的方法 |
| 卢国军; 朱建军; 赵德刚; 刘宗顺; 张书明 ; 杨辉
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2011-08-30
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 本发明公开了一种用氮气、氢气混合气作为载气生长高质量AlInN单晶外延膜的方法，包括如下步骤：选择一衬底；将衬底放入金属有机物化学气相沉积系统内，升温至生长温度，同时通入三甲基铟TMIn、三甲基铝TMAl、氨气NH3，氮气N2和适量氢气H2，生长出AlInN单晶外延膜。利用本发明，可以提高AlInN的结晶质量，并改善其表面形貌，提高其表面的平整度。 |
| 部门归属 | 集成光电子学国家重点实验室
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| 专利号 | CN200810225783.8
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN200810225783.8
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| 专利代理人 | 周国城
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22081
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| 专题 | 集成光电子学国家重点实验室
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
卢国军,朱建军,赵德刚,等. 一种生长AlInN单晶外延膜的方法. CN200810225783.8.
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