| 平行四边形GaN基发光二极管芯片的对称电极 |
| 孙莉莉; 闫发旺; 张会肖; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2011-08-31
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 本发明公开了一种平行四边形GaN基发光二极管芯片的对称电极，属于LED芯片技术领域。LED芯片形状为非矩形的平行四边形，N型焊盘位于平行四边形的一个角上，N型条形电极自N型焊盘出发沿平行四边形边缘环绕一周，P型电极的焊盘位于平行四边形芯片的中心，P型条形电极首先沿N型焊盘所在角对应的对角线方向分布，然后再平行于平行四边形芯片的边缘分布，在LED芯片内部N电极与P电极对称分布，保证了平行四边形LED芯片的电流分布均匀，从而达到提高平行四边形LED芯片的出光效率和寿命的目的。 |
| 部门归属 | 中科院半导体照明研发中心
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| 专利号 | CN201010113804.4
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN201010113804.4
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| 专利代理人 | 周国城
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22157
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| 专题 | 中科院半导体照明研发中心
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
孙莉莉,闫发旺,张会肖,等. 平行四边形GaN基发光二极管芯片的对称电极. CN201010113804.4.
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