| 一种提高镁在Ⅲ-Ⅴ族氮化物中激活效率的方法; 一种提高镁在Ⅲ-Ⅴ族氮化物中激活效率的方法 | |
| 纪攀峰; 李京波; 闫建昌; 刘乃鑫; 刘喆; 王军喜; 李晋闽 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2011-08-31 ; 2011-08-31 ; 2011-08-31 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 摘要 | 本发明公开了一种提高镁在III-V族氮化物中激活效率的方法，该方法是在镁掺杂的p型III-V族氮化物的表面蒸镀一层2nm至10nm的金属钛，然后在N2气氛下退火，并用酸性液体洗掉蒸镀在p型III-V族氮化物上的金属钛。利用本发明，使镁在III-V族氮化物中的激活效率大大的提高，增加了p型III-V族氮化物中空穴的浓度。 |
| 部门归属 | 中科院半导体照明研发中心 |
| 专利号 | CN200910241699.X |
| 语种 | 中文 |
| 专利状态 | 公开 |
| 申请号 | CN200910241699.X |
| 专利代理人 | 周国城 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22161 |
| 专题 | 中科院半导体照明研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 纪攀峰,李京波,闫建昌,等. 一种提高镁在Ⅲ-Ⅴ族氮化物中激活效率的方法, 一种提高镁在Ⅲ-Ⅴ族氮化物中激活效率的方法. CN200910241699.X. |
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