| 磷化镓铝应力补偿的砷化铟量子点太阳电池制作方法 |
| 王科范; 杨晓光 ; 杨涛; 王占国
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2011-08-31
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 一种磷化镓铝应力补偿的砷化铟量子点太阳电池制作方法，包括如下步骤：步骤1：选择一n+型GaAs单晶片作为衬底；步骤2：在衬底上依次生长n型GaAs层和本征GaAs缓冲层；步骤3：在本征GaAs缓冲层上生长多个周期的量子点结构，作为电池的i吸收层；步骤4：在多个周期的量子点结构上依次生长p型GaAs层、p+型GaAs层、Al0.4Ga0.6As层和ZnS/MgF2层；步骤5：在ZnS/MgF2层上生长并制作上金属电极；步骤6：在衬底10的下表面制作下金属电极；步骤7：对电池组件进行封装，完成太阳电池的制作。 |
| 部门归属 | 中科院半导体材料科学重点实验室
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| 专利号 | CN201010217374.0
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN201010217374.0
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| 专利代理人 | 汤保平
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22191
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| 专题 | 中科院半导体材料科学重点实验室
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
王科范,杨晓光,杨涛,等. 磷化镓铝应力补偿的砷化铟量子点太阳电池制作方法. CN201010217374.0.
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