| 单分散硫化亚铜半导体纳米晶的制备方法 |
| 唐爱伟 ; 曲胜春; 王占国
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2011-08-31
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 一种单分散硫化亚铜半导体纳米晶的制备方法，包括如下步骤：步骤1：以金属有机铜化合物作为铜原料，脂肪族硫醇作为硫原料；步骤2：将铜原料和硫原料加入到高沸点溶剂中，搅拌均匀，进行加热反应，得到反应液；步骤3：将反应液冷却至室温；步骤4：向反应液中加入沉淀剂，有灰色或黑色沉淀析出；步骤5：向析出的沉淀中加入溶剂，使沉淀溶解，得到溶液；步骤6：向溶解后的溶液中加入沉淀剂，进行陈化，离心；步骤7：在真空中进行干燥，得到硫化亚铜半导体纳米晶。 |
| 部门归属 | 中科院半导体材料科学重点实验室
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| 专利号 | CN201010121621.7
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN201010121621.7
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| 专利代理人 | 汤保平
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22219
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| 专题 | 中科院半导体材料科学重点实验室
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
唐爱伟,曲胜春,王占国. 单分散硫化亚铜半导体纳米晶的制备方法. CN201010121621.7.
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