| 锰掺杂的锑化镓单晶的化学腐蚀方法 | |
| 陈晓锋; 陈诺夫; 吴金良; 张秀兰; 柴春林; 俞育德 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2011-08-31 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 摘要 | 本发明一种锰掺杂锑化镓单晶的化学腐蚀方法，其中包括以下步骤：步骤1：取一单晶片体，使用抛光粉对单晶片体进行机械抛光；步骤2：再将机械抛光后的单晶片体使用试剂进行化学抛光；步骤3：对机械抛光和化学抛光后的单晶片体，进行化学腐蚀。 |
| 部门归属 | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 专利号 | CN200910081473.8 |
| 语种 | 中文 |
| 专利状态 | 公开 |
| 申请号 | CN200910081473.8 |
| 专利代理人 | 汤保平 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22271 |
| 专题 | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈晓锋,陈诺夫,吴金良,等. 锰掺杂的锑化镓单晶的化学腐蚀方法. CN200910081473.8. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
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