| 制备增强型铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的方法 |
| 王晓亮; 张明兰; 肖红领; 王翠梅; 唐健; 冯春; 姜丽娟
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2011-08-31
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 本发明公开了一种制备增强型铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的方法，包括以下步骤：在衬底上生长氮化镓成核层；在氮化镓成核层上生长氮化镓缓冲层；在氮化镓缓冲层上生长高迁移率氮化镓层；在高迁移率氮化镓层上生长氮化铝插入层；在氮化铝插入层上生长铝镓氮势垒层；在铝镓氮势垒层上生长氮化铟盖帽层；刻蚀氮化铟盖帽层；制备源、漏欧姆接触；制备栅金属；电极金属加厚。利用本发明，降低了制备成本，简化了制备工艺，提高了工艺的可靠性。 |
| 部门归属 | 半导体材料科学中心
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| 专利号 | CN200810226288.9
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN200810226288.9
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| 专利代理人 | 周国城
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22335
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| 专题 | 半导体材料科学中心
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
王晓亮,张明兰,肖红领,等. 制备增强型铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的方法. CN200810226288.9.
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