| 一种平面相变存储器的制备方法 |
| 张加勇; 王晓峰; 马慧莉 ; 程凯芳; 王晓东; 杨富华
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2011-08-31
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 一种平面相变存储器的制备方法，包括：在衬底上依次生长一层电热绝缘材料层和基底材料层；去除基底材料层的四边，形成图形作为制备相变材料侧墙的基底；在该电热绝缘材料层的上面和基底材料层的表面及侧面淀积相变材料层；去除基底材料层上表面的和电热绝缘材料层表面的相变材料层，形成高和宽均为纳米尺寸的相变材料侧墙；去除剩余的基底材料层，只保留纳米尺寸的相变材料侧墙；在该相变材料侧墙的一条边上搭上一条制作电极的金属层；再用薄膜淀积工艺制备一层绝缘材料层；再用化学机械抛光的方法抛光表面直至磨到将相变材料侧墙顶部的金属割断，形成中间夹有相变材料侧墙的nano-gap电极；淀积一层绝缘材料，在nano-gap电极两边的金属上开孔并引出电极即可形成平面相变存储器。 |
| 部门归属 | 半导体集成技术工程研究中心
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| 专利号 | CN201010531375.2
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN201010531375.2
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| 专利代理人 | 汤保平
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22343
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| 专题 | 半导体集成技术工程研究中心
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
张加勇,王晓峰,马慧莉,等. 一种平面相变存储器的制备方法. CN201010531375.2.
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