| 10-14微米同时响应的双色量子阱红外探测器及其制作方法 |
| 刘小宇; 马文全; 张艳华; 种明
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专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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公开日期 | 2011-08-31
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授权国家 | 中国
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专利类型 | 发明
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摘要 | 本发明提供一种10-14微米同时响应的双色量子阱红外探测器的制作方法,包括如下步骤:(A)将一衬底烘干、脱氧,以其作为量子阱红外探测器的承载体;(B)利用外延设备在衬底上依次生长N型掺杂的下欧姆接触层、量子阱层,以及N型掺杂的上欧姆接触层;(C)采用光刻及湿法刻蚀技术,将量子阱层及上欧姆接触层的一侧刻蚀,使下欧姆接触层的一侧形成一台面;(D)采用机械抛光的方法,将衬底及下欧姆接触层远离台面的一侧抛成45°抛角,形成入射光窗口;(E)烘干;(F)在上欧姆接触层的表面压焊第一n型电极;(G)在下欧姆接触层一侧形成的台面上压焊第二n型电极。 |
部门归属 | 纳米光电子实验室
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专利号 | CN201010171382.6
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语种 | 中文
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专利状态 | 公开
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申请号 | CN201010171382.6
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专利代理人 | 汤保平
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文献类型 | 专利
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条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22435
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专题 | 纳米光电子实验室
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推荐引用方式 GB/T 7714 |
刘小宇,马文全,张艳华,等. 10-14微米同时响应的双色量子阱红外探测器及其制作方法. CN201010171382.6.
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