| HTCVD法碳化硅晶体生长装置; HTCVD法碳化硅晶体生长装置 |
| 刘兴昉; 董林; 郑柳; 闫果果; 王雷; 赵万顺; 孙国胜; 曾一平; 李晋闽
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2012-08-29
; 2012-08-29
; 2012-08-29
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 一种HTCVD法碳化硅晶体生长装置,所述晶体生长装置适用于高温化学气相沉积工艺,所述晶体生长装置包括：一真空室；一晶体生长室,与真空室连接,该晶体生长室包括多个独立的晶体生长腔；多个输送源气体的管路,该输送源气体的管路位于真空室和晶体生长室内,分别与晶体生长室的独立的晶体生长腔连通,用于向晶体生长室输送源气体；一用于排除尾气的管路,位于真空室和晶体生长室内,分别与多个晶体生长腔连接,用于排出晶体生长尾气。 |
| 部门归属 | 半导体材料科学中心
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| 申请日期 | 2011-09-08
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| 专利号 | CN102304698A
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN201110264570.8
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23313
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| 专题 | 半导体材料科学中心
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
刘兴昉,董林,郑柳,等. HTCVD法碳化硅晶体生长装置, HTCVD法碳化硅晶体生长装置. CN102304698A.
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