| 硅纳米线光栅谐振增强型光电探测器及其制作方法; 硅纳米线光栅谐振增强型光电探测器及其制作方法 |
| 韩伟华; 陈燕坤; 李小明; 张严波; 杜彦东; 杨富华
|
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
|
| 公开日期 | 2012-09-07
; 2011-09-28
; 2011-09-28
; 2012-09-07
|
| 授权国家 | 中国
|
| 专利类型 | 发明
|
| 摘要 | 一种硅纳米线光栅谐振增强型光电探测器,包括：一硅衬底；一氧化硅层,该氧化硅层制作在硅衬底上；一工形台面结构,该工形台面结构制作在氧化硅层上,该工形台面结构的两端为P型电极和N型电极,该P型电极和N型电极之间连接有硅纳米线光栅共振腔结构；一保护层,该保护层制作在工形台面结构的表面和侧面,在工形台面结构的两端的P型电极和N型电极上开有电极窗口；一金属栅电极,该金属栅电极制作在硅纳米线共振腔结构的保护层上,并靠近N型电极的一侧；两光电流输出金属电极,该光电流输出金属电极制作在工形台面结构的P型电极和N型电极上保护层的电极窗口内。 |
| 部门归属 | 半导体集成技术工程研究中心
|
| 申请日期 | 2011-05-13
|
| 专利号 | CN102201483A
|
| 语种 | 中文
|
| 专利状态 | 公开
|
| 申请号 | CN201110124310.0
|
| 文献类型 | 专利
|
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23348
|
| 专题 | 半导体集成技术工程研究中心
|
推荐引用方式
GB/T 7714 |
韩伟华,陈燕坤,李小明,等. 硅纳米线光栅谐振增强型光电探测器及其制作方法, 硅纳米线光栅谐振增强型光电探测器及其制作方法. CN102201483A.
|
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论