| 制作立体神经微电极的方法; 制作立体神经微电极的方法 |
| 裴为华; 赵辉; 王宇; 陈三元; 汤戎昱; 陈远方; 陈弘达
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2012-09-09
; 2012-09-09
; 2012-09-09
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 一种制作立体神经微电极的方法,包括以下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底正反面生长掩膜,并做对称图案化处理,得到微电极阵列的原始形状；步骤3：从衬底正反面同时刻蚀,将多余部分去除；步骤4：去除剩余的掩膜；步骤5：对上述步骤得到的结构,采用腐蚀的方法进行光滑和变尖处理,得到微电极阵列,该微电极阵列包括多个电极,该电极的尾端相连接；步骤6：在微电极阵列的表面生长金属层；步骤7：在微电极阵列表面的金属层上再生长绝缘层,并将连接点和记录点的绝缘层刻蚀掉。 |
| 部门归属 | 集成光电子学国家重点实验室
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN201110409793.9
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23406
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| 专题 | 集成光电子学国家重点实验室
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
裴为华,赵辉,王宇,等. 制作立体神经微电极的方法, 制作立体神经微电极的方法.
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