| 微电极阵列传感器; 微电极阵列传感器 |
| 汤戎昱; 裴为华; 归强; 李雷; 陈弘达
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2012-09-09
; 2012-09-09
; 2012-09-09
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 一种微电极阵列传感器,包括：一衬底,该衬底上面的两侧分别有一第一反型区和第二反型区；一源极,制作在第一反型区内,该源极有一引出导线；一输出极,制作在第二反型区内,该输出极有一引出导线；一栅氧层,该栅氧层制作在衬底的表面,并暴露出源极和输出极；多组电极功能区,制作在栅氧层上,源极和输出极之间,该多组电极功能区均有引出导线；一绝缘层,该绝缘层覆盖于栅氧层及多组电极功能区的表面。 |
| 部门归属 | 集成光电子学国家重点实验室
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN201110430312.2
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23413
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| 专题 | 集成光电子学国家重点实验室
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
汤戎昱,裴为华,归强,等. 微电极阵列传感器, 微电极阵列传感器.
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