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| 多芯片混合封装的霍尔效应电流传感模块; 多芯片混合封装的霍尔效应电流传感模块 | |
| 陈学磊; 赵柏秦; 郑一阳 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 摘要 | 本发明公开了一种多芯片混合封装的霍尔效应电流传感模块,其包括：基片、霍尔芯片、控制处理芯片和多个引脚。控制处理芯片采用硅基集成电路工艺制造,实现信号处理等多种功能。霍尔芯片采用砷化镓等适于制作霍尔元件的半导体材料制造。被测电流通过其中一对引脚流经传感模块并由模块内的霍尔芯片感知其产生的磁场。通过对该磁场的测量即可获取被测电流的信息。该模块既避免了使用铁芯带来的不便,又满足了霍尔芯片与控制处理芯片对材料的不同要求。 |
| 部门归属 | 科半公司 |
| 专利号 | CN102253264A |
| 语种 | 中文 |
| 专利状态 | 公开 |
| 申请号 | CN201110096641.8 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23444 |
| 专题 | 科半公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈学磊,赵柏秦,郑一阳. 多芯片混合封装的霍尔效应电流传感模块, 多芯片混合封装的霍尔效应电流传感模块. CN102253264A. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 多芯片混合封装的霍尔效应电流传感模块.p（322KB） | 限制开放 | 使用许可 | 请求全文 | |||
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