| 用于改善条形激光器侧向远场的光子晶体波导的制作方法; 用于改善条形激光器侧向远场的光子晶体波导的制作方法 |
| 陈微; 周文君; 刘安金; 付非亚; 张建心; 渠红伟; 郑婉华
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2012-09-09
; 2012-09-09
; 2012-09-09
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 一种用于改善条形激光器侧向远场的光子晶体波导的制作方法,包括如下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上依次生长下限制层、有源区和上限制层,形成横向波导结构；步骤3：采用感应耦合等离子体刻蚀的方法对上限制层进行刻蚀,在上限制层上形成周期性的条状结构,该条状结构的一部分为条状电流注入区,其余部分为光场调制区,结合这两个区便能实现侧向模式的调控；步骤4：在条状电流注入区的上面制作电极实现电流的选择性注入；步骤5：将衬底减薄,改善电流注入特性；步骤6：在衬底的背面制作背面电极,完成器件的制作。 |
| 部门归属 | 纳米光电子实验室
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| 专利号 | CN102142657A
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN201110049791.3
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23459
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| 专题 | 纳米光电子实验室
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
陈微,周文君,刘安金,等. 用于改善条形激光器侧向远场的光子晶体波导的制作方法, 用于改善条形激光器侧向远场的光子晶体波导的制作方法. CN102142657A.
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