| 增强型半导体-金属复合结构磁场传感器及其制备方法; 增强型半导体-金属复合结构磁场传感器及其制备方法 |
| 尹志岗; 张兴旺; 吴金良; 付振; 张汉
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2012-09-09
; 2012-09-09
; 2012-09-09
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 一种增强型半导体-金属复合结构磁场传感器,包括：一绝缘衬底；一半导体材料层,为条状结构,制作在绝缘衬底上；两条金属电流引线,制作在绝缘衬底上,其一端与半导体材料层的一侧连接；两条金属电压引线,制作在绝缘衬底上,其一端与半导体材料层的一侧连接,并位于两条金属电流引线之间；一金属分流器,制作在绝缘衬底上,位于半导体材料层的一侧并与之连接；一绝缘层,制作在半导体材料层上；一永磁层,制作在绝缘保护层上,该永磁层具有垂直磁各向异性；一保护层制作在永磁层上。 |
| 部门归属 | 中科院半导体材料科学重点实验室
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| 专利号 | CN102520377A
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN201110459389.2
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23468
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| 专题 | 中科院半导体材料科学重点实验室
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
尹志岗,张兴旺,吴金良,等. 增强型半导体-金属复合结构磁场传感器及其制备方法, 增强型半导体-金属复合结构磁场传感器及其制备方法. CN102520377A.
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