| 具有红外响应的表面纳米点硅光电探测器结构的制作方法; 具有红外响应的表面纳米点硅光电探测器结构的制作方法 |
| 刘德伟; 黄永光; 朱小宁; 王熙元; 马丽; 朱洪亮
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2012-09-09
; 2012-09-09
; 2012-09-09
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 一种具有红外响应的表面纳米点硅光电探测器结构的制作方法,包括：在p型硅基衬底的一面制作二氧化硅掩蔽层；光刻二氧化硅掩蔽层,在二氧化硅掩蔽层的中间形成一环形和圆形n型掺杂窗口；在环形和圆形n型掺杂窗口采用磷离子注入或磷扩散的方法,形成n型掺杂层,环形n型掺杂层形成PN结保护环,圆形n型掺杂层形成PN结光敏区；在硫系环境下,采用超快激光脉冲辐照n型硅靶材表面的方法,在圆形PN结光敏区的表面形成硅纳米点层；在硅纳米点层上面淀积一层增透膜层；光刻增透膜层,在增透膜层的表面形成环形电极窗口；在环形电极窗口上制备光敏区正面接触电极；在保护环上制备正面接触电极；在p型硅基衬底的背面制备背面接触电极,完成器件的制作。 |
| 部门归属 | 中科院半导体材料科学重点实验室
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| 专利号 | CN102227005A
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN201110155465.0
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23481
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| 专题 | 中科院半导体材料科学重点实验室
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
刘德伟,黄永光,朱小宁,等. 具有红外响应的表面纳米点硅光电探测器结构的制作方法, 具有红外响应的表面纳米点硅光电探测器结构的制作方法. CN102227005A.
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