| 氧化铟锡透明导电薄膜表面粗化方法; 氧化铟锡透明导电薄膜表面粗化方法 |
| 郑怀文; 张逸韵; 吴奎; 杨华 ; 李璟
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2012-09-09
; 2012-09-09
; 2012-09-09
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 一种利用自组装薄膜作为掩膜刻蚀导电薄膜的方法,包括以下步骤：步骤1：取一蓝宝石衬底,在该蓝宝石衬底上生长氮化物外延层；步骤2：在氮化物外延层上生长导电薄膜；步骤3：在导电薄膜上采用自组装的方法生长一层光子晶体薄膜,形成掩膜；步骤4：进行退火处理；步骤5：采用刻蚀的方法对掩膜下的导电薄膜进行刻蚀,形成粗化的导电薄膜表面；步骤6：清洗去掉剩余的光子晶体薄膜,完成制备。 |
| 部门归属 | 中科院半导体照明研发中心
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| 专利号 | CN102244159A
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN201110177081.9
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23507
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| 专题 | 中科院半导体照明研发中心
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
郑怀文,张逸韵,吴奎,等. 氧化铟锡透明导电薄膜表面粗化方法, 氧化铟锡透明导电薄膜表面粗化方法. CN102244159A.
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