| InGaAs/InP应变量子阱及(AlGa)InP可见光激光器结构材料的GSMBE生长及特性研究 | |
| 王晓亮 | |
| 学位类型 | 博士 |
| 导师 | 侯洵 ; 孔梅影 ; 孙殿照 |
| 1995 | |
| 学位授予单位 | 中国科学院研究生院 |
| 学位授予地点 | 西安 |
| 学位专业 | 光学 |
| 学科领域 | 半导体材料 |
| 公开日期 | 2013-12-30 |
| 文献类型 | 学位论文 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/24463 |
| 专题 | 半导体材料科学中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王晓亮. InGaAs/InP应变量子阱及(AlGa)InP可见光激光器结构材料的GSMBE生长及特性研究[D]. 西安. 中国科学院研究生院,1995. |
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| 王晓亮.pdf（15045KB） | 限制开放 | 使用许可 | 请求全文 | |||
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