| Al(Ga)N材料光致发光性质研究 | |
| 王维颖 | |
| 学位类型 | 博士 |
| 导师 | 杨涛 ; 金鹏 |
| 2014-06-01 | |
| 学位授予单位 | 中国科学院研究生院 |
| 学位授予地点 | 北京 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 关键词 | Algan 深紫外光致发光 高温热退火 Gan/algan量子阱 界面粗糙 偏振特性 |
| 学科领域 | 半导体物理 |
| 公开日期 | 2014-06-03 |
| 文献类型 | 学位论文 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25101 |
| 专题 | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王维颖. Al(Ga)N材料光致发光性质研究[D]. 北京. 中国科学院研究生院,2014. |
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