| 利用双成核层生长高质量氮化镓外延结构的方法 | |
| 梁萌; 李鸿渐; 姚然; 李志聪; 李盼盼; 王兵; 李璟; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 李晋闽 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2012-07-04 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 学科领域 | 半导体器件 |
| 申请日期 | 2012-03-21 |
| 申请号 | CN201210075703.1 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25380 |
| 专题 | 中科院半导体照明研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 梁萌,李鸿渐,姚然,等. 利用双成核层生长高质量氮化镓外延结构的方法. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 利用双成核层生长高质量氮化镓外延结构的方（458KB） | 限制开放 | 使用许可 | 请求全文 | |||
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