基于磁光光子晶体的4×4二进制发生器 | |
郑婉华; 江斌; 王宇飞; 张冶金; 冯志刚 | |
专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
公开日期 | 2012-10-03 |
授权国家 | 中国 |
专利类型 | 发明 |
学科领域 | 半导体材料 |
申请日期 | 2012-06-12 |
申请号 | CN201210192819.3 |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25417 |
专题 | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 郑婉华,江斌,王宇飞,等. 基于磁光光子晶体的4×4二进制发生器. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
基于磁光光子晶体的4×4二进制发生器.p(2466KB) | 限制开放 | 使用许可 | 请求全文 |
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