SEMI OpenIR  > 半导体超晶格国家重点实验室
一种具有W型有源区结构的带间级联激光器
张宇; 邢军亮; 徐应强; 任正伟; 牛智川
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2014-01-29
授权国家中国
专利类型发明
学科领域半导体物理
申请日期2013-10-31
申请号CN201310529303.8
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25466
专题半导体超晶格国家重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
张宇,邢军亮,徐应强,等. 一种具有W型有源区结构的带间级联激光器.
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一种具有W型有源区结构的带间级联激光器.(378KB) 限制开放使用许可请求全文
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