| 表面等离激元增强GaN基纳米柱LED及制备方法 | |
| 于治国; 赵丽霞; 魏学成; 王军喜; 李晋闽 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2013-09-25 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 学科领域 | 半导体器件 |
| 申请日期 | 2013-05-22 |
| 申请号 | CN201310193912.0 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25607 |
| 专题 | 中科院半导体照明研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 于治国,赵丽霞,魏学成,等. 表面等离激元增强GaN基纳米柱LED及制备方法. |
| 条目包含的文件 | ||||||
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| 表面等离激元增强GaN基纳米柱LED及制（521KB） | 限制开放 | 使用许可 | 请求全文 | |||
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