SEMI OpenIR  > 半导体超晶格国家重点实验室
多端口读写的片内存储器
龙希田; 杨杰; 石匆; 吴南健
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2013-07-24
授权国家中国
专利类型发明
学科领域半导体物理
申请日期2013-04-22
申请号CN201310140319.X
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25642
专题半导体超晶格国家重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
龙希田,杨杰,石匆,等. 多端口读写的片内存储器.
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