p型碲化锌单晶薄膜材料的掺杂方法 | |
刘超; 张理嫩; 杨秋旻; 崔利杰; 曾一平 | |
专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
公开日期 | 2013-12-25 |
授权国家 | 中国 |
专利类型 | 发明 |
学科领域 | 半导体材料 |
申请日期 | 2013-09-16 |
申请号 | CN201310419775.8 |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25650 |
专题 | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘超,张理嫩,杨秋旻,等. p型碲化锌单晶薄膜材料的掺杂方法. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
p型碲化锌单晶薄膜材料的掺杂方法.pdf(401KB) | 限制开放 | 使用许可 | 请求全文 |
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