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| 双波长锑化物应变量子阱半导体激光器及其制备方法 | |
| 邢军亮; 张宇; 王国伟; 王娟; 王丽娟; 任正伟; 徐应强; 牛智川 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2013-05-01 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 学科领域 | 光电子学 |
| 申请日期 | 2013-01-25 |
| 申请号 | CN201310029832.1 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25686 |
| 专题 | 半导体超晶格国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 邢军亮,张宇,王国伟,等. 双波长锑化物应变量子阱半导体激光器及其制备方法. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 双波长锑化物应变量子阱半导体激光器及其制（1931KB） | 限制开放 | 使用许可 | 请求全文 | |||
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