SEMI OpenIR  > 纳米光电子实验室
InGaAs红外光探测器
韦欣; 许斌宗; 宋国峰; 刘杰涛; 徐云; 相春平; 付东
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2014-05-21
授权国家中国
专利类型发明
学科领域半导体材料
申请日期2014-03-05
申请号CN201410078922.4
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25714
专题纳米光电子实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
韦欣,许斌宗,宋国峰,等. InGaAs红外光探测器.
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