| 4H-SiC结型势垒肖特基（JBS）二极管的设计与研制及其关键工艺研究 | |
| 王进泽 | |
| 学位类型 | 硕士 |
| 导师 | 杨富华+王晓东+何志 |
| 2015-05-28 | |
| 学位授予单位 | 中国科学院研究生院 |
| 学位授予地点 | 北京 |
| 学位专业 | 电子与通信工程 |
| 学科领域 | 半导体器件 |
| 公开日期 | 2015-06-02 |
| 文献类型 | 学位论文 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26574 |
| 专题 | 半导体集成技术工程研究中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王进泽. 4H-SiC结型势垒肖特基（JBS）二极管的设计与研制及其关键工艺研究[D]. 北京. 中国科学院研究生院,2015. |
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| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 王进泽硕士毕业论文最终版.pdf（2868KB） | 限制开放 | 使用许可 | 请求全文 | |||
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