| 基于ART技术的硅基III-V族材料及器件研究 | |
| 李士颜 | |
| 学位类型 | 博士 |
| 导师 | 潘教青 |
| 2016-05-27 | |
| 学位授予单位 | 中国科学院研究生院 |
| 学位授予地点 | 北京 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 关键词 | 高深宽比限制技术 选区外延技术 Si基iii-v族异质外延 Si基高迁移率iii-v族mosfet 纳米激光器 |
| 学科领域 | 半导体材料 ; 半导体器件 ; 光电子学 ; 微电子学 |
| 公开日期 | 2016-06-02 |
| 文献类型 | 学位论文 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27167 |
| 专题 | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李士颜. 基于ART技术的硅基III-V族材料及器件研究[D]. 北京. 中国科学院研究生院,2016. |
| 条目包含的文件 | ||||||
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| 基于ART技术的硅基III-V族材料及器（15932KB） | 限制开放 | 使用许可 | 请求全文 | |||
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