| 多有源区外延结构、采用其的半导体激光器及其制造方法 | |
| 侯继达; 熊聪; 刘素平; 马骁宇 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体所 |
| 公开日期 | 2016-09-12 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 学科领域 | 半导体器件 |
| 申请日期 | 2015-12-30 |
| 申请号 | CN201511024496.7 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27377 |
| 专题 | 光电子器件国家工程中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 侯继达,熊聪,刘素平,等. 多有源区外延结构、采用其的半导体激光器及其制造方法. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 多有源区外延结构、采用其的半导体激光器及（771KB） | 限制开放 | 使用许可 | 请求全文 | |||
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