基于SOI衬底的横向纳米线叉指结构晶体管及制备方法 | |
洪文婷; 韩伟华; 吕奇峰; 杨富华 | |
专利权人 | 中国科学院半导体所 |
公开日期 | 2016-09-22 |
授权国家 | 中国 |
专利类型 | 发明 |
学科领域 | 微电子学 |
申请日期 | 2015-05-14 |
申请号 | CN201510245793.8 |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27499 |
专题 | 半导体集成技术工程研究中心 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 洪文婷,韩伟华,吕奇峰,等. 基于SOI衬底的横向纳米线叉指结构晶体管及制备方法. |
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文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
基于SOI衬底的横向纳米线叉指结构晶体管(996KB) | 限制开放 | 使用许可 | 请求全文 |
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