SEMI OpenIR  > 光电子研究发展中心
基于受激布里渊散射的单边带光载微波信号产生装置
李冠鹏; 漆晓琼; 王辉; 谢亮
专利权人中国科学院半导体所
公开日期2016-09-22
授权国家中国
专利类型发明
学科领域光电子学
申请日期2015-07-07
申请号CN201510394294.5
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27510
专题光电子研究发展中心
推荐引用方式
GB/T 7714
李冠鹏,漆晓琼,王辉,等. 基于受激布里渊散射的单边带光载微波信号产生装置.
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基于受激布里渊散射的单边带光载微波信号产(1010KB) 限制开放使用许可请求全文
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