SEMI OpenIR  > 固态光电信息技术实验室
激光器降噪设备及采用该设备降噪的方法
谭俊; 陈伟; 王孙龙; 刘建国; 祝宁华
专利权人中国科学院半导体所
公开日期2016-09-22
授权国家中国
专利类型发明
学科领域光电子学
申请日期2015-06-24
申请号CN201510354771.5
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27536
专题固态光电信息技术实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
谭俊,陈伟,王孙龙,等. 激光器降噪设备及采用该设备降噪的方法.
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激光器降噪设备及采用该设备降噪的方法.p(395KB) 限制开放使用许可请求全文
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