SEMI OpenIR  > 中科院半导体照明研发中心
氮化镓基发光器件的电极体系及其制作方法
郭金霞; 王良臣; 梁萌; 王莉; 黄亚军; 伊晓燕; 刘志强
专利权人中国科学院半导体所
公开日期2016-09-28
授权国家中国
专利类型发明
学科领域半导体器件
申请日期2015-01-13
申请号CN201510017329.3
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27612
专题中科院半导体照明研发中心
推荐引用方式
GB/T 7714
郭金霞,王良臣,梁萌,等. 氮化镓基发光器件的电极体系及其制作方法.
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氮化镓基发光器件的电极体系及其制作方法.(956KB) 限制开放使用许可请求全文
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