一种高反射率的垂直结构发光二级管芯片及其制备方法
赵桂娟; 汪连山; 杨少延; 刘贵鹏; 魏鸿源; 焦春美; 刘祥林; 朱勤生; 王占国
专利权人中国科学院半导体所
公开日期2016-09-29
授权国家中国
专利类型发明
学科领域半导体材料
申请日期2014-11-06
申请号CN201410641928.8
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27648
专题中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
赵桂娟,汪连山,杨少延,等. 一种高反射率的垂直结构发光二级管芯片及其制备方法.
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