窄脊半导体器件的制备方法
杨冠卿; 梁平; 徐波; 陈涌海; 王占国
专利权人中国科学院
公开日期2017-06-05
授权国家中国
专利类型发明
学科领域半导体物理 ; 半导体器件
申请日期2017-01-22
申请号201710054287 .X
专利代理人中科专利商标代理有限责任公司 11021
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/28210
专题中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
杨冠卿,梁平,徐波,等. 窄脊半导体器件的制备方法.
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