Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
低生长温度下提高化合物半导体中n型掺杂浓度的方法 | |
江李; 林涛; 韦欣; 王国宏; 马骁宇 | |
2005-11-02 | |
公开日期 | 2009-06-04 ; 2009-06-11 |
专利类型 | 发明 |
申请日期 | 2004-04-20 |
语种 | 中文 |
申请号 | CN200410035033.6 |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/3107 |
专题 | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 江李,林涛,韦欣,等. 低生长温度下提高化合物半导体中n型掺杂浓度的方法[P]. 2005-11-02. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
200410035033.pdf(256KB) | 限制开放 | -- | 请求全文 |
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