低生长温度下提高化合物半导体中n型掺杂浓度的方法
江李; 林涛; 韦欣; 王国宏; 马骁宇
2005-11-02
公开日期2009-06-04 ; 2009-06-11
专利类型发明
申请日期2004-04-20
语种中文
申请号CN200410035033.6
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/3107
专题中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
江李,林涛,韦欣,等. 低生长温度下提高化合物半导体中n型掺杂浓度的方法[P]. 2005-11-02.
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