Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
| 砷化镓衬底上制备纳米尺寸坑的方法 | |
李凯; 叶小玲 ; 王占国
| |
| 2007-01-24 | |
| 公开日期 | 2009-06-04 ; 2009-06-11 |
| 专利类型 | 发明 |
| 申请日期 | 2005-07-19 |
| 语种 | 中文 |
| 申请号 | 200510084357 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/3637 |
| 专题 | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李凯,叶小玲,王占国. 砷化镓衬底上制备纳米尺寸坑的方法[P]. 2007-01-24. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 200510084357.pdf（392KB） | 限制开放 | -- | 请求全文 | |||
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