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| 多型体材料SiC和GaN外延薄膜的相及缺陷分析 | |
| 郑新和 | |
| 学位类型 | 博士 |
| 导师 | 梁骏吾 ; 杨辉 |
| 2002 | |
| 学位授予单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 学位授予地点 | 北京 |
| 学科领域 | 材料物理与化学 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2009-04-13 ; 2009-07-09 |
| 文献类型 | 学位论文 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/5111 |
| 专题 | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郑新和. 多型体材料SiC和GaN外延薄膜的相及缺陷分析[D]. 北京. 中国科学院半导体研究所,2002. |
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| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
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