Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
| 氧化锌体单晶生长过程中的直接掺杂方法 | |
| 董志远; 赵有文; 杨 俊; 段满龙 | |
| 2009-05-27 | |
| 专利权人 | 中科院半导体研究所 |
| 公开日期 | 3996 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 申请日期 | 2007-11-21 |
| 语种 | 中文 |
| 专利状态 | 公开 |
| 申请号 | CN200710177781 |
| 专利代理人 | 汤宝平 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/9162 |
| 专题 | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 董志远,赵有文,杨 俊,等. 氧化锌体单晶生长过程中的直接掺杂方法[P]. 2009-05-27. |
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