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GaN HEMT 基础问题研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2016
作者:  何晓光
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Gan  Hemt  2deg  Mocvd  高阻  
一种高阻GaN薄膜的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12
发明人:  何晓光;  赵德刚;  江德生;  刘宗顺;  陈平;  杨静;  乐伶聪;  李晓静;  杨辉
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高电阻低位错GaN薄膜及制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-06-25
发明人:  何晓光;  赵德刚;  江德生;  刘宗顺;  陈平;  杨静;  乐伶聪;  李晓静;  杨辉
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减小GaN基蓝紫光端发射激光器电子泄漏的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-07-30
发明人:  乐伶聪;  赵德刚;  江德生;  刘宗顺;  陈平;  杨静;  何晓光;  李晓静;  杨辉
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含有变In组分InGaN/GaN多层量子阱结构的太阳能电池 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-08
发明人:  杨静;  赵德刚;  李亮;  吴亮亮;  乐伶聪;  李晓静;  何晓光
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InGaN/AlInGaN多量子阱太阳能电池结构 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:  杨静;  赵德刚;  乐伶聪;  李晓静;  何晓光
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低电阻率P型铝镓氮材料及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:  杨静;  赵德刚;  乐伶聪;  李晓静;  何晓光
Adobe PDF(514Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：587/3  |  提交时间：2016/08/30