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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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无权访问的条目
期刊论文
作者:
Fariza, Aqdas
;
Ji, Xiaoli
;
Gao, Yaqi
;
Ran, Junxue
;
Wang, Junxi
;
Wei, Tongbo
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提交时间:2022/07/26
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Yin, Haibo
;
Wang, Xiaoliang
;
Ran, Junxue
;
Hu, Guoxin
;
Zhang, Lu
;
Xiao, Hongling
;
Li, Jing
;
Li, Jinmin
;
Yin, H.(hbyin@semi.ac.cn)
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浏览/下载:1045/232
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提交时间:2012/06/14
氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
马志勇
;
王晓亮
;
冉军学
;
胡国新
;
肖红领
;
王翠梅
;
罗卫军
Adobe PDF(1062Kb)
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浏览/下载:1610/181
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提交时间:2009/06/11
一种对气体传感器或半导体器件性能进行测试的系统
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
王晓亮
;
王新华
;
冯春
;
王保柱
;
马志勇
;
王军喜
;
胡国新
;
肖红领
;
冉军学
;
王翠梅
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浏览/下载:1504/176
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提交时间:2009/06/11
宽带隙氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
王晓亮
;
马志勇
;
胡国新
;
肖红领
;
冉军学
;
王翠梅
;
罗卫军
Adobe PDF(1354Kb)
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浏览/下载:1558/172
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
冯春
;
王晓亮
;
王新华
;
肖红领
;
王翠梅
;
胡国新
;
冉军学
;
王军喜
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浏览/下载:901/244
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提交时间:2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
王新华
;
王晓亮
;
冯春
;
冉军学
;
肖红领
;
杨翠柏
;
王保柱
;
王军喜
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浏览/下载:1059/298
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提交时间:2010/11/23
一种减小Mg记忆效应的GaN基pn结的生长方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
冉军学
;
王晓亮
;
李建平
;
胡国新
;
王军喜
;
王翠梅
;
曾一平
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Ran JX (Ran Junxue)
;
Wang XL (Wang Xiaoliang)
;
Hu GX (Hu Guoxin)
;
Li JP (Li Jianping)
;
Wang BZ (Wang Baozhu)
;
Xiao HL (Xiao Hongling)
;
Wang JX (Wang Junxi)
;
Zeng YP (Zeng Yiping)
;
Li JM (Li Jinmin)
;
Wang ZG (Wang Zhanguo)
;
Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xlwang@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1309/323
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提交时间:2010/03/29
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang XL (Wang Xiaoliang)
;
Wang CM (Wang Cuimei)
;
Hu GX (Hu Guoxin)
;
Mao HL (Mao Hongling)
;
Fang CB (Fang Cebao)
;
Wang JX (Wang Junxi)
;
Ran JX (Ran Junxue)
;
Li HP (Li Hanping)
;
Li JM (Li Jinmin)
;
Wang ZG (Wang, Zhanguo)
;
Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1472/493
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提交时间:2010/03/29